Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

RV3C002UNT2CL, 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch

Semiconductors\Discrete SemiconductorsSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.15A I(D), 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

Brand	ROHM Semiconductor
Channel Mode	Enhancement
Configuration	1 N-Channel
Factory Pack Quantity	8000
Fall Time	25 ns
Id - Continuous Drain Current	150 mA
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	DFN0604-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	100 mW
Product	MOSFETs
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	5.4 Ohms
Rise Time	4 ns
RoHS	Details
Series	RVxC
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	Small Signal MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	300 mV
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.4Ом
Power Dissipation	100мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	150мА
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	800мВ
Рассеиваемая Мощность	100мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.4Ом
Стиль Корпуса Транзистора	DFN0603
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный