Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SCT3040KRC14

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 1200V N-CH SIC TRENCH

Id - непрерывный ток утечки	55 A
Pd - рассеивание мощности	262 W
Qg - заряд затвора	107 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток	4 V, + 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5.6 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	19 ns
Время спада	19 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	8.3 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	SCT3x
Технология	SiC
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	29 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-4
Base Product Number	SCT3040 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 18V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1337pF @ 800V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-4
Power Dissipation (Max)	262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 20A, 18V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-247-4L
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 10mA