Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
SFH 309 FA-4, Фототранзистор, 3мм, -p макс: 900нм, 35В, 12°, -d: 730-1120нм
Oптоэлектроника\Фотоэлементы\ФототранзисторыThis family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices.
Active area | 0.038mm2 |
Collector-emitter voltage | 35V |
Dark current | 1nA |
LED diameter | 3mm |
LED lens | black with IR filter |
Manufacturer | ams OSRAM |
Mounting | THT |
Power | 165mW |
Type of photoelement | phototransistor |
Viewing angle | 12° |
Wavelength | 730…1120nm |
Wavelength of peak sensitivity | 900nm |
Angle of Half Sensitivity | ±12 ° |
Collector Current | 15mA |
Collector Emitter Voltage | 35 V |
Diameter | 3.1mm |
Maximum Dark Current | 1(≤ 50)nA |
Maximum Light Current | 4500µA |
Maximum Wavelength Detected | 1120nm |
Minimum Wavelength Detected | 880nm |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Channels | 1 |
Number of Pins | 2 |
Package Type | 3mm(T-1) |
Polarity | NPN |
Saturation Voltage | 200mV |
Spectral Range of Sensitivity | 880 → 1120 nm |
Spectrums Detected | Infrared |
Typical Fall Time | 7µs |
Typical Rise Time | 7µs |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Стиль Корпуса Транзистора | T-1(3mm) |
Типичное Значение Длины Волны | 900нм |
Угол Обзора | 12° |
Энергопотребление | 165мВт |
Вес, г | 0.168 |