Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SH8KC7TB1
Semiconductors\Discrete SemiconductorsThe ROHM low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. This product includes two 60V MOSFETs in a small surface mount package.
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0095Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0095Ом |
| Power Dissipation N Channel | 2Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 10.5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 10.5А |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0124 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOP |
| Pin Count | 8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
