Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SI2305A, 20V 4.2A 65m ё@4.5V,4.2A 1.38W 500mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET20V 4.2A 65mR@4.5V, 4.2A 1.38W 500mV@250?A P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS VDS (V) = -20V аналог:SI2305A, UMWSI2305A

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	40 мОм/4.2A, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.38
Крутизна характеристики, S	9
Корпус	SOT-23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	4.2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	1.38W
Rds On - Drain-Source Resistance	65mО© @ 4.2A,4.5V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20V
Vgs - Gate-Source Voltage	500mV @ 250uAпј€Minпј‰
Continuous Drain Current (Id)	4.2A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	65mΩ@4.5V, 4.2A
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	500mV@250uA
Power Dissipation (Pd)	1.38W
Вес, г	0.05