Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3,5А, 0,8Вт, SOT23
Цена по запросу

SI2306BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3,5А, 0,8Вт, SOT23

Транзисторы Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3,5А, 0,8Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 3.16
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 47@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1250
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status NRND
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology TrenchFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Typical Fall Time (ns) 6
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 3@5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 305@15V
Typical Rise Time (ns) 12
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 14
Typical Turn-On Delay Time (ns) 7
Вес, г 0.01

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных