Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор, N-канал 60В 1.9А [SOT-23]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор, N-канал 60В 1.9А [SOT-23]
SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs
Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V (ds) and are 100% tested gate resistance(R g ). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55 C to 150 C junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.192 Ом/1.7А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Вес, г | 0.05 |
