Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.3A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.13ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V, Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes
Структура | N-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.086 Ом/1.7А, 4.5В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 |
Крутизна характеристики, S | 5 |
Корпус | SOT-23-3 |
Вес, г | 0.05 |