Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SI2315BDS-T1-E3, Транзистор

Описание Транзистор полевой SI2315BDS-T1-E3 от производителя VISHAY – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Устройство обладает током стока в 3 А и напряжением сток-исток 12 В, что обеспечивает его надежную работу в широком диапазоне электронных схем. Мощность транзистора достигает 0,75 Вт, а компактный корпус SOT23 позволяет эффективно использовать плату без необходимости отвода большого пространства под компоненты. Транзистор SI2315BDST1E3 является оптимальным выбором для проектов, где требуется стабильность, долговечность и миниатюризация электронных узлов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3 Напряжение сток-исток, В 12 Мощность, Вт 0.75 Корпус SOT23

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	3
Напряжение сток-исток, В	12
Мощность, Вт	0.75
Корпус	SOT23
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	50 4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V)	12
Maximum Gate Source Voltage (V)	±8
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1190
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	NRND
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-23
Typical Fall Time (ns)	50
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	8 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	715 6V
Typical Rise Time (ns)	35
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	50
Typical Turn-On Delay Time (ns)	15
Вес, г	0.06