Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23]
TrenchFET® MOSFETs
Vishay / Siliconix TrenchFET ® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK ® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.039 Ом/4.1А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.75 |
| Крутизна характеристики, S | 16 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Вес, г | 0.05 |
