Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SI3421DV-T1-GE3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

Id - непрерывный ток утечки	8 A
Pd - рассеивание мощности	4.2 W
Qg - заряд затвора	46 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	19.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	13 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	30 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	TSOP-6
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Resistance	0.0192 O
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TSOP-6
Pin Count	6
Series	TrenchFET
Case	TSOP6
Drain current	-8A
Drain-source voltage	-30V
Gate charge	69nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	VISHAY
Mounting	SMD
On-state resistance	19.2mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	2.7W
Pulsed drain current	-50A
Technology	TrenchFET®
Type of transistor	P-MOSFET
Continuous Drain Current (Id)	8A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	19.2mΩ@10V, 7A
Drain Source Voltage (Vdss)	30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	3V@250uA
Power Dissipation (Pd)	4.2W