Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SI4143DY-T1-GE3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsP-Channel 30 V 25.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.0051Ом
Power Dissipation	6Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	25.3А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0051Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25.3A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6630 pF @ 15 V
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C(TA)
Package / Case	8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Power Dissipation (Max)	6W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA