Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SI5935CDC-T1-GE3
Semiconductors\Discrete Semiconductors
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 156 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | 1206 ChipFET |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 5 V |
| Width | 1.7mm |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
