Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SI7629DN-T1-GE3
Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 20V 35A 52W
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Qg - заряд затвора | 177 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 38 ns |
| Время спада | 28 ns |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Другие названия товара № | SI7629DN-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 64 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
