Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SI7812DN-T1-GE3, MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Id - непрерывный ток утечки	16 A
Pd - рассеивание мощности	52 W
Qg - заряд затвора	24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	37 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	75 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.04 mm
Длина	3.3 mm
Другие названия товара №	SI7812DN-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI7
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8
Ширина	3.3 mm