Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
SI7898DP-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
Pd - рассеивание мощности | 5 W |
Qg - заряд затвора | 17 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 17 ns |
Высота | 1.04 mm |
Длина | 6.15 mm |
Другие названия товара № | SI7898DP-T1 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI7 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 24 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
Ширина | 5.15 mm |