Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
SI7898DP-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Цена по запросу

SI7898DP-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Id - непрерывный ток утечки 4.8 A
Pd - рассеивание мощности 5 W
Qg - заряд затвора 17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 10 ns
Время спада 17 ns
Высота 1.04 mm
Длина 6.15 mm
Другие названия товара № SI7898DP-T1
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 15 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI7
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 24 ns
Типичное время задержки при включении 9 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок PowerPAK-SO-8
Ширина 5.15 mm