Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
SI8808DB-T2-E1
Цена по запросу

SI8808DB-T2-E1

Semiconductors\Discrete SemiconductorsMicroFoot® Power MOSFETs Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.
Brand Vishay Semiconductors
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Id - Continuous Drain Current 2.5 A
Manufacturer Vishay
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package/Case MicroFoot-4
Pd - Power Dissipation 900 mW
Product Category MOSFETs
Product Type MOSFETs
Qg - Gate Charge 10 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 95 mOhms
Subcategory Transistors
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 400 mV

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных