Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SIA432DJ-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Id - непрерывный ток утечки	12 A
Pd - рассеивание мощности	19.2 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	2.05 mm
Другие названия товара №	SIA432DJ-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIA
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	SC-70-6
Ширина	2.05 mm