Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор N/P-MOSFET 12В 4.5А 1.9Вт [PowerPAK SC-70-6 Dual]
Цена по запросу

SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор N/P-MOSFET 12В 4.5А 1.9Вт [PowerPAK SC-70-6 Dual]

Channel Type Complementary N and P Channel
Drain Source On State Resistance N Channel 0.024Ом
Drain Source On State Resistance P Channel 0.024Ом
Power Dissipation N Channel 6.5Вт
Power Dissipation P Channel 6.5Вт
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchFET Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Напряжение Истока-стока Vds 12В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал 12В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал 12В
Непрерывный Ток Стока 4.5А
Непрерывный Ток Стока, N Канал 4.5А
Непрерывный Ток Стока, P Канал 4.5А
Полярность Транзистора Дополнительные каналы N и P
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 6.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.024Ом
Стиль Корпуса Транзистора PowerPAK SC-70
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 25

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных