Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор N/P-MOSFET 12В 4.5А 1.9Вт [PowerPAK SC-70-6 Dual]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор N/P-MOSFET 12В 4.5А 1.9Вт [PowerPAK SC-70-6 Dual]
Channel Type | Complementary N and P Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 0.024Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 0.024Ом |
Power Dissipation N Channel | 6.5Вт |
Power Dissipation P Channel | 6.5Вт |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 12В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 12В |
Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 4.5А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 4.5А |
Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Рассеиваемая Мощность | 6.5Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SC-70 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 25 |