Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SIHD14N60E-GE3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Id - непрерывный ток утечки	13 A
Pd - рассеивание мощности	147 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	269 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	19 ns
Время спада	15 ns
Другие названия товара №	SIHD14N60E-BE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	E
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	TO-252-3
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)	13
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	309@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	600
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	147000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	15
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	32
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	32@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1205@100V
Typical Rise Time (ns)	19
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	35
Typical Turn-On Delay Time (ns)	15