Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SIHD5N80AE-GE3, MOSFET DPAK
Semiconductors\Discrete SemiconductorsThe Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses. Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.35 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | E Series |
| Transistor Material | Si |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
