Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
SIHG47N60EF-GE3
Semiconductors\Discrete SemiconductorsThe Vishay through-hole N-channel TO-247AC-3 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 600V and a maximum gate-source voltage of 30V.
Continuous Drain Current (Id) | 47A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 67mΩ@10V, 24A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.854nF@100V |
Power Dissipation (Pd) | 379W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 225nC@10V |