Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SIHG73N60E-GE3

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 46А, 520Вт, TO247AC Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	73 A
Pd - рассеивание мощности	520 W
Qg - заряд затвора	241 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	39 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	105 ns
Время спада	120 ns
Высота	20.82 mm
Длина	15.87 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	E
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	290 ns
Типичное время задержки при включении	63 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.31 mm
Case	TO247AC
Drain current	46A
Drain-source voltage	600V
Gate charge	362nC
Gate-source voltage	±30V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Manufacturer	VISHAY
Mounting	THT
On-state resistance	39mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	520W
Type of transistor	N-MOSFET