Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
SIHJ8N60E-T1-GE3
Цена по запросу

SIHJ8N60E-T1-GE3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 89 W
Qg - заряд затвора 22 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 15 ns
Время спада 14 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 29 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок PowerPAK-SO-8-4

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных