Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SIHP15N50E-GE3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs TO-220AB

Id - непрерывный ток утечки	14.5 A
Pd - рассеивание мощности	156 W
Qg - заряд затвора	33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	243 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	24 ns
Время спада	18 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	E
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	34 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220AB-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	14.5A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1162pF @ 100V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	156W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 7.5A, 10V
Standard Package	1
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA