Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SIHP33N60E-GE3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

Id - непрерывный ток утечки	33 A
Pd - рассеивание мощности	278 W
Qg - заряд затвора	155 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	99 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	60 ns
Время спада	54 ns
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	E
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	99 ns
Типичное время задержки при включении	28 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A)	33
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	99 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	600
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	278000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	54
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	100
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	100 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	3508 100V
Typical Rise Time (ns)	60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	99
Typical Turn-On Delay Time (ns)	28