Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SIR106ADP-T1-RE3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8

Id - непрерывный ток утечки	65.8 A
Pd - рассеивание мощности	83.3 W
Qg - заряд затвора	26.5 nC, 34.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	7 ns, 8 ns
Время спада	6 ns, 7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	72 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	N - Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns, 25 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns, 18 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	PowerPAK-SO-8
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0066Ом
Power Dissipation	83.3Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	65.8А
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	83.3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0066Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный