Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SIR122DP-T1-RE3, MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Semiconductors\Discrete Semiconductors
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0061Ом |
| Power Dissipation | 65.7Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Максимальная Рабочая Температура | 50°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 59.6А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 65.7Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0061Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
