Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SIR460DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 3.8 мОм, 10 В, 1 В

TrenchFET® Gen III Power MOSFETs Vishay Semiconductor TrenchFET® Gen III Power MOSFETs offer low on-resistance and on-resistance times gate charge in PowerPAK® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The lower on-resistance and gate charge of TrenchFET Gen III Power MOSFETs translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology. Vishay Semiconductor TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Рассеиваемая Мощность	5Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	40А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0038Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	1В
Вес, г	0.51