Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.9А [[PowerPAK SO-8]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.9А [[PowerPAK SO-8]
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Pd - рассеивание мощности | 41.7 W |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 6.15 mm |
| Другие названия товара № | SIR462DP-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 70 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Ширина | 5.15 mm |
| Вес, г | 0.223 |
