Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SIR882BDP-T1-RE3, MOSFET 100V N-CHANNEL (D-S)

Semiconductors\Discrete SemiconductorsThe Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type. TrenchFET Gen IV power MOSFET

Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	67.5 A
Maximum Drain Source Resistance	0.0069 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1 → 2.3V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PowerPAK SO-8
Pin Count	8
Drain Source On State Resistance	0.0069Ом
Power Dissipation	83.3Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	67.5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.3В
Рассеиваемая Мощность	83.3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0069Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный