Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0037Ом
Power Dissipation	36Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	64А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.2В
Рассеиваемая Мощность	36Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0037Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1