Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SIRA18ADP-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 6.15 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Ширина | 5.15 mm |
| Base Product Number | SIRA18 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 |
| Power Dissipation (Max) | 14.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.007Ом |
| Power Dissipation | 14.7Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 30.6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Continuous Drain Current (Id) | 30.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8.7mΩ@10A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@15V |
| Power Dissipation (Pd) | 14.7W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 21.5nC@10V |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
