Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SISA04DN-T1-GE3, For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3
Semiconductors\Discrete Semiconductors
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• TrenchFET® Gen IV Power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0018Ом |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.1В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
