Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SISH402DN-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Id - непрерывный ток утечки	35 A
Pd - рассеивание мощности	52 W
Qg - заряд затвора	42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.15 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns
Время спада	15 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	82 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIS
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8