Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

SIUD406ED-T1-GE3, MOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SIUD406ED-T1-GE3, MOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 30V Vds;8V Vgs PowerPAK 0806

Id - непрерывный ток утечки	500 mA
Pd - рассеивание мощности	1.25 W
Qg - заряд затвора	0.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.46 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns
Время спада	5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.2 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIU
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	PowerPAK-0806-3
Base Product Number	SIUD40 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	PowerPAKВ® 0806
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	TrenchFETВ® ->
Supplier Device Package	PowerPAKВ® 0806
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250ВµA