Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SIZ918DT-T1-GE3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

Id - непрерывный ток утечки	16 A, 28 A
Pd - рассеивание мощности	29 W, 100 W
Qg - заряд затвора	14 nC, 67.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	12 mOhms, 3.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V, 1.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns, 22 ns
Время спада	10 ns, 10 ns
Другие названия товара №	SIZ918DT-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	47 S, 116 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIZ
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns, 15 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	PowerPAIR-6x5-8
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	16 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	PowerPAIR