Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SKM200GB125D, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 160А, Ifsм 300А, SEмITrans3, В D56
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors Описание Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 160А, Ifsм 300А, SEмITrans3, В D56 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
БТИЗ
Вид
IGBT
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Application | frequency changer, Inverter |
| Case | SEMITRANS3 |
| Collector current | 160A |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Pulsed collector current | 300A |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Type of module | IGBT |
| Version | D56 |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Half Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SEMITRANS3 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 322.7 |
Похожие товары
Цена по запросу
