Цена по запросу

SKM200GB12T4, Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTМодуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
Корпус SEMITRANSR 3(Case D56)
Версия D56
Импульсный ток 600А
Конструкция диода транзистор/транзистор
Монтаж винтами
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Обратное напряжение макс. 1.2кВ
Производитель SEMIKRON
Рабочая температура -40…125°C
Тип модуля IGBT
Ток коллектора 241А
Топология полумост IGBT
Электрический монтаж винтами
Вес, г 321.7

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!
Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных

Оставить отзыв о товаре