Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
SKM50GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTБиполярный транзистор IGBT, 840 Вт
Корпус | GB |
кол-во в упаковке | 8 |
Channel Type | N |
Configuration | Dual Half Bridge |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 81 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | SEMITRANS2 |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Series |
Вес, г | 310 |