Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SPA11N60C3XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Continuous Drain Current 11 A
Package Type TO-220FP
Maximum Power Dissipation 33 W
Mounting Type Through Hole
Width 4.85mm
Height 9.83mm
Dimensions 10.65 x 4.85 x 9.83mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 10.65mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Brand Infineon
Typical Turn-Off Delay Time 44 ns
Series CoolMOS C3
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.1V
Maximum Drain Source Resistance 380 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Pin Count 3
Category Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs 45 nC @ 10 V
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 1200 pF @ 25 V
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Вес, г 2
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 650В |
| Ток стока макс. | 11A |
| Сопротивление открытого канала | 380 мОм |
| Мощность макс. | 33Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3.9В |
| Заряд затвора | 60нКл |
| Входная емкость | 1200пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220FP |
| Вес брутто | 3.12 г. |
| Наименование | SPA11N60C3XKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Field-effect transistor, N-channel, 600V 11A 34W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
