Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
SPW20N60C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Цена по запросу

SPW20N60C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 ом при 13.1a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208 Крутизна характеристики, S 17.5 Корпус to247ac Пороговое напряжение на затворе 3.9 Вес, г 7.5 Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. 650В
Ток стока макс. 20.7A
Сопротивление открытого канала 190 мОм
Мощность макс. 208Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс. 3.9В
Заряд затвора 114нКл
Входная емкость 2400пФ
Тип монтажа Through Hole
Корпус TO-247
Вес брутто 7.83 г.
Наименование SPW20N60C3FKSA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных