Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SPW32N50C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 32 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 284 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.21мм
Высота 21.1мм
Размеры 16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 20 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 100 нс
Серия CoolMOS C3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток 110 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 560 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 170 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 4200 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 560В |
| Ток стока макс. | 32A |
| Сопротивление открытого канала | 110 мОм |
| Мощность макс. | 284Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3.9В |
| Заряд затвора | 170нКл |
| Входная емкость | 4200пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 8.5 г. |
| Наименование | SPW32N50C3FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 560V 32A TO-247 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
