Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SQ4153EY-T1-GE3

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -14А, 2,3Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	25 A
Pd - рассеивание мощности	7.1 W
Qg - заряд затвора	151 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	900 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	168 ns
Время спада	283 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	54 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SQ
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	310 ns
Типичное время задержки при включении	31 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SO-8