Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
SSM10N954L,EFF
Цена по запросу

SSM10N954L,EFF

Semiconductors\Discrete SemiconductorsSSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors promote high-efficiency charging/discharging in small cell batteries. Improving a battery’s reliability with low thermal impact is a key requirement for Li-ion batteries adopting fast charging. MOSFETs are generally used in the charge/discharge protection circuit as a switch and are often built into a Li-ion battery pack.
Brand Toshiba
Channel Mode Enhancement
Factory Pack Quantity 10000
Fall Time 2.3 us
Id - Continuous Drain Current 13.5 A
Manufacturer Toshiba
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package/Case TCSPAC-153001-10
Packaging Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation 1.4 W
Product Category MOSFETs
Product Type MOSFETs
Qg - Gate Charge 25 nC
Rise Time 1.3 us
Subcategory Transistors
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 5.3 us
Typical Turn-On Delay Time 1 us
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
Vgs - Gate-Source Voltage -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.4 V

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных