Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SSM3K56CT,L3F, Small Low ON Resistane MOSFETs

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор Small Low ON Resistane МОП-транзисторs

Id - непрерывный ток утечки	800 mA
Pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
Qg - заряд затвора	1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	186 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.38 mm
Длина	1 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	10000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	8.5 ns
Типичное время задержки при включении	5.5 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	CST3-3
Ширина	0.6 mm