Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

SSM6N357R,LF

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=.65A VDSS=60V

Id - непрерывный ток утечки	650 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	1.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	MOSV
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	500 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSM6N357R
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	3000 ns
Типичное время задержки при включении	990 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TSOP-6
Base Product Number	TLP137 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	650mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
ECCN	EAR99
FET Feature	Standard
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 5V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 12V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-SMD, Flat Leads
Power - Max	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 150mA, 5V
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA