Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STB140NF75T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 0.0065 Ом
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 120 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 310 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.35мм
Высота 4.6мм
Размеры 10.4 x 9.35 x 4.6мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 30 нс
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 130 ns
Серия STripFET F3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 75 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 160 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 5000 pF@ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 75В |
| Ток стока макс. | 120A |
| Сопротивление открытого канала | 7.5 мОм |
| Мощность макс. | 310Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 218нКл |
| Входная емкость | 5000пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 2.1 г. |
| Наименование | STB140NF75T4 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
