Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STB55NF06T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 110Вт
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.018 ом при 27.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 18
Корпус d2pak
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 50A |
| Сопротивление открытого канала | 18 мОм |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 60нКл |
| Входная емкость | 1300пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 2.11 г. |
| Наименование | STB55NF06T4 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
