Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
STD10NM60N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 70Вт
Цена по запросу

STD10NM60N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 70Вт

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.6 ом при 4a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70 Корпус dpak Вес, г 0.4 ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс. 600В
Ток стока макс. 10A
Сопротивление открытого канала 550 мОм
Мощность макс. 70Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 19нКл
Входная емкость 540пФ
Тип монтажа Surface Mount
Корпус DPAK
Вес брутто 0.6 г.
Наименование STD10NM60N
Производитель ST Microelectronics
Описание Eng MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 2500 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных